[发明专利]基于栅极保护的半导体电路及半导体器件

摘要

本发明揭示了一种基于栅极保护的半导体电路及半导体器件，所述半导体电路包括集成设置的增强型功率器件及增强型器件，所述增强型功率器件包括第一栅极、第一源极及第一漏极，增强型器件包括第二栅极、第二源极及第二漏极，且所述第一栅极与第二源极电性连接，第一漏极作为半导体电路的漏极，第一源极作为半导体电路的源极，第二漏极作为半导体电路的栅极，第二栅极作为半导体电路的保护电极。本发明通过在增强型功率器件的栅极集成另一个增强型器件，实现对功率器件的栅极保护；相比于现有的栅极保护技术，本发明在免除了外接齐纳二极管的需要的同时，也去除了对耗尽型器件的依赖。