[发明专利]一种原位生长制备的钙钛矿太阳能电池有效

专利信息
申请号: 202010932606.4 申请日: 2020-09-08
公开(公告)号: CN112133836B 公开(公告)日: 2022-09-06
发明(设计)人: 原浩博;张京;俞陆婷;章泽群;郭同辉;诸跃进 申请(专利权)人: 宁波大学
主分类号: H01L51/46 分类号: H01L51/46;H01L51/42;H01L51/48
代理公司: 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 代理人: 丁少华
地址: 315211 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种原位生长制备的钙钛矿太阳能电池,包括导电玻璃层、氧化锡层、钙钛矿层、钙钛矿修饰层、空穴传输层以及金属电极层,所述钙钛矿层为CH3NH3PbI3多晶膜,钙钛矿修饰层为(CH3NH3)3Sb2I9修饰层。使用了SbI3修饰于CH3NH3PbI3之上,在消除钙钛矿表面富余Ma+并且优化界面化学环境的同时,形成了弱p型的(CH3NH3)3Sb2I9修饰层,与CH3NH3PbI3多晶膜之间形成接触电场。由于(CH3NH3)3Sb2I9具有与CH3NH3PbI3相匹配的价带能级,导带却相差1eV,实现界面电荷的快速抽取,抑制了由于载流子回传导致的界面复合。
搜索关键词: 一种 原位 生长 制备 钙钛矿 太阳能电池
【主权项】:
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