[发明专利]掩膜坯、掩膜坯的制造方法、光掩膜及光掩膜的制造方法在审
| 申请号： | 202010933261.4 | 申请日： | 2020-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN112558408A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 诸沢成浩 | 申请（专利权）人： | 爱发科成膜株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/46 | 分类号： | G03F1/46;G03F1/50;G03F1/54;G03F1/58 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 刁兴利;康泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及掩膜坯、掩膜坯的制造方法、光掩膜及光掩膜的制造方法。本发明的掩膜坯具有作为相移掩膜的层，该掩模坯具有：相移层，层叠于透明基板；防反射层，被设置在比所述相移层更远离所述透明基板的位置；以及密合层，被设置在比所述防反射层更远离所述透明基板的位置。所述相移层含有铬，所述防反射层含有硅化钼和氧，所述密合层含有铬和氧，在所述密合层中，以具有对光致抗蚀剂层能够形成图案的密合性来设定氧含有率。 | ||
| 搜索关键词： | 掩膜坯 制造 方法 光掩膜 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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