[发明专利]扇出型晶圆级封装结构的封装方法在审
| 申请号： | 202010935518.X | 申请日： | 2020-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN114156187A | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 赵海霖 | 申请（专利权）人： | 盛合晶微半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 贺妮妮 |
| 地址： | 214437 江苏省无锡市江阴市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种扇出型晶圆级封装结构的封装方法，包括：提供两片以上半导体芯片，并粘合于粘合层上；采用塑封层封装半导体芯片；去除粘合层，并于半导体芯片上形成重新布线层，以实现各半导体芯片的互连；重新布线层包括至少一层依次层叠的子重新布线层，形成子重新布线层的方法包括：于半导体芯片上形成介质层；采用光刻工艺在介质层中形成通孔；对形成有通孔的介质层进行烘烤，消除通孔周围的介质层的翘曲；对介质层进行固化；于通孔中及介质层上形成与通孔对应的图形化的金属布线层并于其上形成金属凸块。该方法可有效改善通孔周围介质层的形貌，消除通孔周围介质层的翘起，提高后续形成的重新布线层与半导体芯片的电连接性能。 | ||
| 搜索关键词： | 扇出型晶圆级 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于盛合晶微半导体（江阴）有限公司，未经盛合晶微半导体（江阴）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010935518.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：MEMS陀螺正交误差校正系统
- 下一篇：一种猫砂盘
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
