[发明专利]一种半导体部件的拼接镀膜方法有效

专利信息
申请号: 202010935912.3 申请日: 2020-09-08
公开(公告)号: CN112063972B 公开(公告)日: 2022-07-15
发明(设计)人: 姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;滕俊 申请(专利权)人: 宁波江丰电子材料股份有限公司
主分类号: C23C14/22 分类号: C23C14/22;C23C14/04;C23C14/35;C23C14/16
代理公司: 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 代理人: 王岩
地址: 315400 浙江省宁波市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供了一种半导体部件的拼接镀膜方法,所述方法包括:将半导体部件中与镀膜设备中夹具接触的表面采用保护膜进行遮蔽;将处理后的半导体部件进行镀膜,控制镀膜温度和功率,完成非遮蔽表面的镀膜;将镀膜后的表面附着保护膜,再将原遮蔽保护膜去除;重复进行非遮蔽表面的镀膜,完成后去除已镀膜表面的保护膜,直至得到表面全镀膜的半导体部件。本发明所述方法通过拼接镀膜的方式,可实现半导体部件全表面的镀膜,尤其是对非镀膜面先进行遮蔽的方式,能够保证不同顺序镀膜的一致性,满足后续焊接工艺的要求;根据半导体部件材料的选择,相应调整镀膜参数,可避免产生晶粒变化,保证部件的强度性能,对不同种类制品均可适用,应用范围广。
搜索关键词: 一种 半导体 部件 拼接 镀膜 方法
【主权项】:
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