[发明专利]一种半导体激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 202010937039.1 | 申请日： | 2020-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN112072466A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 刘朝明;王涛;高磊;张峰 | 申请（专利权）人： | 因林光电科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/34 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215002 江苏省苏州市苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体激光器及其制备方法。其中，半导体激光器包括衬底、以及依次设置于衬底一侧的缓冲层、下光场限制层、下波导层、有源层、上波导层、上光场限制层和上接触层，上接触层远离衬底的一侧设置有第一电极，衬底远离上接触层的一侧设置有第二电极，半导体激光器还包括电流阻挡区和至少一个电流注入区，电流注入区沿半导体激光器的腔长方向排成一列，且电流注入区与光场强度的峰值区对应设置。本发明提供的半导体激光器及其制备方法，提高了半导体激光器的电光转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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