[发明专利]一种低温烧结高品质因素微波介质陶瓷及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010937212.8 申请日: 2020-09-08
公开(公告)号: CN112010650A 公开(公告)日: 2020-12-01
发明(设计)人: 李春宏;钟云;康晓丽;崔旭东 申请(专利权)人: 中物院成都科学技术发展中心
主分类号: C04B35/50 分类号: C04B35/50;C04B35/462;C04B35/64;C04B35/634
代理公司: 成都方圆聿联专利代理事务所(普通合伙) 51241 代理人: 苟铭
地址: 610200 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明涉及一种低温烧结高品质因素微波介质陶瓷及其制备方法,通过添加烧结助剂Bi2O3+CuO,组成其化学式组成为RxM2x+1Ti1+xO13+y(0.5Bi2O3+CuO),其中R=La、Ce、Y、Pr、Dy、Eu的一种或几种的组合,M为ZnO、NbO2、MgO、CaO的一种或几种的组合,0.2≤x≤1,1≤y≤2wt%。通过添加稀土氧化物改性和少量的氧化物作为烧结助剂,其烧结温度可以降低到800~950℃,并且还具有优异微波介电性能。所得到的微波介电陶瓷,介电常数为17~23,Q*f值不低于50000GHz,以及较小的谐振频率系数。该制备方法工艺简单,降低了制备成本,致密化烧结,提高导热率,可应用于5G基站用微波介质陶瓷。
搜索关键词: 一种 低温 烧结 品质 因素 微波 介质 陶瓷 及其 制备 方法
【主权项】:
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