[发明专利]一种新型InGaAs红外焦平面探测器的制备工艺有效
| 申请号： | 202010937303.1 | 申请日： | 2020-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN112071956B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 张家鑫;史衍丽;石慧;郭金萍;贾凯凯;王伟;刘璐;郭文姬;高炜;刘建林;徐文艾 | 申请（专利权）人： | 山西国惠光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0232;H01L31/105 |
| 代理公司： | 北京惠科金知识产权代理有限公司 11981 | 代理人： | 赵晓琳 |
| 地址： | 030006 山西省太原市*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型InGaAs红外焦平面探测器的制备工艺，为了增大红外光的吸收效率，通过在像素之间增加Ti/Au反射层，使得未被InGaAs吸收层吸收的红外光不能穿透芯片照射到读出电路上，而是经过Ti/Au反射层后，红外光被反射回去，又被InGaAs吸收层二次吸收，这样提高了器件的光吸收率，进而提高芯片的探测效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 ingaas 红外 平面 探测器 制备 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
