[发明专利]固态纳米孔制造方法和包括固态纳米孔的传感器

摘要

本发明公开了固态纳米孔制造方法和包括固态纳米孔的传感器，属于纳米孔技术领域。该制造方法包括以下步骤：在硅衬底的一面上沉积SiN层；分别在SiN层上和硅衬底的另一面上沉积SiO2层；在一面的SiO2层上制备抗蚀剂层，刻蚀这一面的抗蚀剂层和SiO2层形成刻蚀槽，该刻蚀槽使得SiN层的一面曝光，移除这一面的抗蚀剂层；在另一面的SiO2层上制备抗蚀剂层，刻蚀这另一面的抗蚀剂层和SiO2层形成刻蚀槽，两面的刻蚀槽对齐，这另一面的刻蚀槽使得硅衬底的另一面曝光，移除这另一面的抗蚀剂层；分别在两面的SiO2层上印刷金电极；从硅衬底的另一面曝光的部分刻蚀硅衬底，使得SiN层的另一面曝光；使用氦离子束穿过SiN层曝光的部分形成纳米孔。