[发明专利]一种采用表面高阶光栅的直接调制半导体激光器有效
| 申请号： | 202010937703.2 | 申请日： | 2020-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN112003125B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 郑婉华;马丕杰;李晶;董风鑫 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/12;H01S5/042 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种采用表面高阶光栅的直接调制半导体激光器及其制备方法，包括：三层平板波导(1000)，包括至上而下的上波导层(1100)、芯层(1200)及下波导层(1300)，其中，上波导层(1100)为脊形，其脊背或脊侧面上形成有表面高阶光栅(1111)；金属电极(2000)，包括上表面金属(2100)和下表面金属(2200)，上表面金属(2100)形成在上波导层(1100)的上表面，下表面金属(2200)形成在下波导层(1300)的下表面；电绝缘层(3000)，其形成在表面高阶光栅(1111)凹槽表面以及上表面金属(2100)和上波导层(1100)之间。本发明提供的采用表面高阶光栅的直接调制半导体激光器可以使用普通的接触式光刻制作，可以大幅度降低激光器的成本和提高激光器产量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 表面 光栅 直接 调制 半导体激光器 | ||
【主权项】：
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