[发明专利]一种在Z切铌酸锂薄膜上制作Y传脊型光波导的方法有效
| 申请号： | 202010938229.5 | 申请日： | 2020-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN112130253B | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 华平壤;姜唯臻 | 申请（专利权）人： | 派尼尔科技（天津）有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/134 | 分类号： | G02B6/134;G02B6/136;G02B6/122;G02B6/125 |
| 代理公司： | 北京沁优知识产权代理有限公司 11684 | 代理人： | 周庆路 |
| 地址： | 300000 天津市滨海新区经济技*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在Z切铌酸锂薄膜上制作Y传脊型光波导的方法，制作Y传脊型光波导的方法包括：在铌酸锂单晶薄膜+Z面的波导区形成掩膜；轻质子交换，非波导区在+Z面实现质子交换，波导区在非波导区与波导区的边界处实现X面质子交换；其中，质子源为苯甲酸和苯甲酸锂的混合物，苯甲酸锂的质量比为2％。本发明提出一种在Z切铌酸锂薄膜上制作Y传脊型光波导的方法，其主要在X切方向采用2％缓冲质子交换，可在Z切铌酸锂薄膜上制备出侧壁(X面)和表面(Z面)均很光滑、损耗低的Y传脊型光波导。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 切铌酸锂 薄膜 制作 传脊型光 波导 方法 | ||
【主权项】：
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