[发明专利]配置用于栅极电介质监控的半导体器件

摘要

本公开涉及配置用于栅极电介质监控的半导体器件。公开的技术通常涉及半导体器件，且更具体地涉及这样的半导体器件，包括：MOS晶体管，且被配置为用于加速和监视MOS晶体管的栅极电介质的退化。在一方面，一种配置具有栅极介电监视能力的半导体器件包括：MOS晶体管，包括在半导体衬底中形成的源极、漏极、栅极和背栅区。半导体器件另外包括：BJT，包括在半导体基板中形成的集电极，基极和发射极，其中MOS晶体管的背栅区用作BJT的基极，并且独立地可访问以激活BJT。MOS晶体管和BJT被配置为通过独立于MOS晶体管的源极偏置背栅区而被同时激活，使得BJT的基极将第一电荷类型的载流子注入到MOS晶体管的背栅区中，其中第一电荷类型与通道电流载流子的电荷类型相反。