[发明专利]一种晶体硅光伏电池的I-V特性拟合曲线确定方法有效

专利信息
申请号: 202010940983.2 申请日: 2020-09-09
公开(公告)号: CN112084657B 公开(公告)日: 2022-06-10
发明(设计)人: 师楠;朱显辉;王书侠;苏勋文;汤旭日;吕品;吴禹衡 申请(专利权)人: 黑龙江科技大学
主分类号: G06F30/20 分类号: G06F30/20;G06F17/18
代理公司: 北京正华智诚专利代理事务所(普通合伙) 11870 代理人: 李林合
地址: 150022 黑龙江*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 发明公开了一种晶体硅光伏电池的I‑V特性拟合曲线确定方法,以晶体硅光伏电池为对象,提出一种只需根据光伏电池自带的数据手册中的数据,无需求解超越方程和任何实测数据,以两条2阶Bezier函数分别对晶体硅光伏电池I‑V特性曲线最大功率点左右两侧进行简单拟合的方法,通过找出Bezier函数曲线控制点位置与晶体硅光伏电池填充因子之间的线性规律,进而给出满足工程精度要求晶体硅光伏电池的I‑V特性拟合曲线。
搜索关键词: 一种 晶体 硅光伏 电池 特性 拟合 曲线 确定 方法
【主权项】:
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