[发明专利]一种薄膜电池输出的I-V特性拟合方法有效

专利信息
申请号: 202010940984.7 申请日: 2020-09-09
公开(公告)号: CN112069686B 公开(公告)日: 2022-07-08
发明(设计)人: 朱显辉;师楠;汝红芳;刘宏洋;于越;简有为;吴禹衡 申请(专利权)人: 黑龙江科技大学
主分类号: G06F30/20 分类号: G06F30/20;G06F111/10
代理公司: 北京正华智诚专利代理事务所(普通合伙) 11870 代理人: 李林合
地址: 150022 黑龙江*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 发明公开了一种薄膜电池输出的I‑V特性拟合方法,仅需要根据薄膜电池的型号查找其数据手册,获取该型号的基本数据,无需求解超越方程和任何实测数据,以2条2阶Bezier函数分别对薄膜电池输出I‑V特性曲线最大功率点左、右两侧进行拟合的简单方法,既能保证2条2阶Bezier函数在最大功率点处的平滑连接,同时确保拟合曲线通过开路电压、短路电流和最大功率三个关键点。并探索2条Bezier函数控制点的最佳位置,找出Bezier函数控制点位置与薄膜电池填充因子之间的线性关系,进而,依据该线性关系,得到控制点的坐标,通过Bezier函数绘制Bezier曲线,实现对薄膜电池输出I‑V特性的拟合。
搜索关键词: 一种 薄膜 电池 输出 特性 拟合 方法
【主权项】:
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