[发明专利]半导体器件和方法在审
| 申请号： | 202010941168.8 | 申请日： | 2020-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN113451209A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 张雅岚;陈亭纲;黄泰钧;徐志安;卢永诚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 陈蒙 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体器件和方法。实施例包括一种方法，该方法包括：在半导体器件的金属栅极结构的切割金属栅极区域中形成开口；在开口中共形地沉积第一电介质层；在第一电介质层之上共形地沉积硅层；对硅层执行氧化工艺以形成第一氧化硅层；用第二氧化硅层填充开口；对第二氧化硅层和第一电介质层执行化学机械抛光，以形成切割金属栅极插塞，化学机械抛光暴露出半导体器件的金属栅极结构；以及形成到金属栅极结构的第一部分的第一接触件和到金属栅极结构的第二部分的第二接触件，金属栅极结构的第一部分和第二部分被切割金属栅极插塞分离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
