[发明专利]氧化铪基铁电薄膜和氧化铪基铁电薄膜制备方法有效

专利信息
申请号: 202010941513.8 申请日: 2020-09-09
公开(公告)号: CN112151602B 公开(公告)日: 2023-04-07
发明(设计)人: 廖敏;戴思维;郇延伟;刘晨;曾斌建;周益春 申请(专利权)人: 湘潭大学
主分类号: H01L29/51 分类号: H01L29/51;H01L21/28;H01L21/336;B82Y40/00;B82Y30/00;B82Y10/00
代理公司: 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 代理人: 郑久兴
地址: 411100 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明申请公开一种氧化铪基铁电薄膜和氧化铪基铁电薄膜制备方法。氧化铪基铁电薄膜包括多个纳米铁电畴,和包围在每个纳米铁电畴周围的相结构,以使得多个纳米铁电畴之间呈弥散分布,形成多相共存结构;相结构为顺电相、非铁电相和反铁电相。基于本发明实施例,本发明的氧化铪基铁电薄膜为多相共存结构,其呈弥散布置的多个数量的纳米铁电畴有利于降低氧化铪基铁电薄膜的极化翻转势垒,从而减小了其矫顽场电压。另一方面,基于本发明实施例的氧化铪基铁电薄膜,仅需一个稍小的外加驱动电压就能达到相对大的剩余极化值,可以减小器件工作电压,避免氧化铪基铁电薄膜在高循环电场中过早的出现硬击穿现象,有效地提高氧化铪基铁电薄膜的抗疲劳性能。
搜索关键词: 氧化 铪基铁电 薄膜 制备 方法
【主权项】:
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