[发明专利]一种硅基微腔窄带近红外光电探测器有效
申请号: | 202010941539.2 | 申请日: | 2020-09-09 |
公开(公告)号: | CN112002785B | 公开(公告)日: | 2022-08-19 |
发明(设计)人: | 于永强;宋龙梅;夏宇;刘佳杨;许高斌;马渊明;陈士荣 | 申请(专利权)人: | 合肥工业大学 |
主分类号: | H01L31/108 | 分类号: | H01L31/108;H01L31/028;H01L31/0216;H01L31/0232 |
代理公司: | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人: | 卢敏 |
地址: | 230009 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种硅基微腔窄带近红外光电探测器,该探测器的结构为:以单晶硅衬底为基底;单晶硅衬底的上表面刻蚀为硅微孔阵列结构;在硅微孔阵列上设置有上绝缘层;在单晶硅衬底下表面转移有石墨烯薄膜,形成石墨烯‑硅肖特基异质结;在石墨烯薄膜下表面依次设置有下绝缘层和金属反射层。本发明所制备的探测器实现了可见光盲的窄带近红外响应,具有响应速度快、易集成等优势,同时还具有制备方法简单、成本低、稳定性高、兼容性强等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅基微腔 窄带 红外 光电 探测器 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的