[发明专利]一种抗辐照双栅LDMOS器件结构在审
| 申请号： | 202010942729.6 | 申请日： | 2020-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN111987152A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 方健;马红跃;黎明;雷一博;卜宁;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L27/02;H01L27/088 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种抗辐照双栅LDMOS器件结构，包括P型衬底、P阱、N型漂移区；源区P+注入、右侧源区N+注入、N+注入、薄栅氧化层、NMOS多晶硅、LDMOS厚栅氧化层、LDMOS多晶硅、LDMOS场氧化层、漏极N+注入，本发明和传统的BCD工艺相兼容，不需要添加任何特殊的工艺步骤；本发明提出的结构，在不改变器件宽长比的情况下，采用了薄栅NMOS作为控制常规LDMOS漏电流从漏极流向源极的开关，能够降低总剂量辐照后产生的泄漏电流，提高总剂量的抗辐照能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 辐照 ldmos 器件 结构 | ||
【主权项】：
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