[发明专利]层叠孔结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202010943998.4 | 申请日： | 2020-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN112164671A | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 王小艳;王星杰;宗立超 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522;H01L23/528 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请公开了一种层叠孔结构及其制作方法，涉及半导体制造领域。该方法包括形成第一金属层间介质层；在第一金属层间介质层中形成第一通孔，第一通孔由竖直结构和碗状结构构成，碗状结构位于竖直结构的上方，碗状结构的开口尺寸大于竖直结构的开口尺寸；填充第一通孔，并在第一通孔中的碗状结构的顶部形成Ti/TiN层；在第一金属层间介质层的表面形成第二金属层间介质层；在第二金属层间介质层中形成第二通孔，第二通孔连接第一通孔，且第二通孔的底部被第一通孔的碗状结构包围；填充第二通孔；解决了较厚的金属层间介质层中的通孔容易不符合要求的问题；达到了在较厚的金属层间介质层中形成符合要求的层叠结构通孔的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 层叠 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
