[发明专利]双阳离子结构红光准二维钙钛矿发光二极管有效
| 申请号： | 202010944159.4 | 申请日： | 2020-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN112038495B | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 康博南;庞裕;张子召 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 王淑秋 |
| 地址： | 130012 吉林省长春市*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种双阳离子结构红光准二维钙钛矿发光二极管，其结构中的钙钛矿发光层通过下述方法制备：将各材料按摩尔比为PEAI:MAI:CsI:PbI |
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| 搜索关键词： | 阳离子 结构 红光 二维 钙钛矿 发光二极管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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