[发明专利]一种电容式碳化硅高温压力传感器及其制备方法有效
申请号: | 202010945048.5 | 申请日: | 2020-09-10 |
公开(公告)号: | CN112097966B | 公开(公告)日: | 2021-09-21 |
发明(设计)人: | 方续东 | 申请(专利权)人: | 绍兴精传传感科技有限公司 |
主分类号: | G01L1/14 | 分类号: | G01L1/14;G01L9/12 |
代理公司: | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人: | 贺建斌 |
地址: | 311803 浙江省绍兴*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 一种电容式碳化硅高温压力传感器及其制备方法,传感器包括若干阵列布置的电容式碳化硅高温压力传感单元,每个电容式碳化硅高温压力传感单元包括衬底,衬底的两侧连接有支柱,衬底的中部连接有多个阵列布置的下电极,下电极和碳化硅薄膜上连接的多个阵列布置的上电极配合形成多个子电容,碳化硅薄膜两侧连接在支柱顶部,上电极顶部和上电极引线连接,上电极引线的上方设有玻璃盖板;相邻支柱之间与碳化硅薄膜、衬底形成空腔;上电极、下电极为竖直布置,通过改变上电极、下电极间面积来反应压力变化;制备方法采用刻蚀、溅射、腐蚀、键合等工艺,本发明增大输出信号,提高信噪比,提高线性度,提高压力传感器的工作温度。 | ||
搜索关键词: | 一种 电容 碳化硅 高温 压力传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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