[发明专利]一种具有表面阵列凸台结构的SiC电容压力传感器及制备方法在审
| 申请号： | 202010945844.9 | 申请日： | 2020-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN112033583A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 周圣军;万泽洪;雷宇 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | G01L1/14 | 分类号： | G01L1/14;G01L9/12 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 王丹 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有表面阵列凸台结构的SiC电容压力传感器及制备方法，它包括SiC衬底，SiC衬底上依次形成的p型SiC层、SiC下极板、绝缘层和SiC上极板，以及电路连接结构；SiC下极板包括圆形下极板基体，和下极板基体的上表面设置的凹槽阵列；SiC上极板包括圆形上极板基体和凸台阵列；上极板基体罩在下极板基体上，上极板基体的下表面与绝缘层的上表面之间构成空腔，且凸台阵列与凹槽阵列相匹配。在SiC上极板表面采用凸台阵列，在保证结构可靠性的前提下，减小基体圆形薄膜的厚度，从而获得更高的线性度；凸台阵列与凹槽阵列相配合，在传感器工作时上极板凸台侧壁与下极板凹槽侧壁的正对面积增大，产生额外的电容增量，大大增加传感器工作时的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 表面 阵列 结构 sic 电容 压力传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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