[发明专利]氮掺杂p型透明导电BeZnOS薄膜及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202010947157.0 | 申请日： | 2020-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN112195438B | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 何云斌;汪洋;黎明锴;李磊;卢寅梅;尹魏玲;李派;常钢;陈俊年;尹向阳;郭启利;李永昌 | 申请（专利权）人： | 湖北大学;广州金升阳科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/28;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 杨采良 |
| 地址： | 430062 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种氮掺杂p型透明导电BeZnOS薄膜及其制备方法和应用，该制备方法，包括：制备BeZnOS陶瓷靶材；提供衬底，将衬底置于脉冲激光沉积系统真空腔体中，向真空腔体中通入一氧化氮气体，利用BeZnOS陶瓷靶材，采用脉冲激光烧蚀沉积的方法在衬底上进行氮掺杂的BeZnOS薄膜的生长；将得到的氮掺杂的BeZnOS薄膜于温度为400～750℃下退火，即得氮掺杂p型透明导电BeZnOS薄膜。本发明的制备方法，在ZnO中掺入Be和S形成BeZnOS合金可以连续调节其能带结构和电子结构同时又能保持ZnO的六方结构，更稳定的Be‑N键和更高的价带顶可以降低N |
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| 搜索关键词： | 掺杂 透明 导电 beznos 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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