[发明专利]基于DE-QPSO的MKRVM对RF-MEMS开关的寿命预测方法在审
| 申请号： | 202010947340.0 | 申请日： | 2020-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN112085146A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 何怡刚;白月姣;李志刚;袁伟博;阮义;张慧 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | G06N3/00 | 分类号： | G06N3/00;G06K9/62;G06F17/18;G06Q10/04 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 张宇 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于差分进化的量子粒子群算法DE‑QPSO的多核相关向量机MKRVM方法对开关寿命进行预测，为进一步研究电容式RF‑MEMS开关在实际应用中存在的可靠性问题，其主要实现步骤为：根据电容式RF‑MEMS开关的相关特性得到开关的寿命公式；在相关向量机计算方法的基础上生成MKRVM的计算方法；利用DE‑QPSO得到MKRVM的最优内核权重；运用MKRVM进行开关的寿命预测。本发明的寿命预测方法实现简单，利用组合算法优化后，提高了方法的准确性和运算速度，并且可以应用于不同电子元器件的寿命预测。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 de qpso mkrvm rf mems 开关 寿命 预测 方法 | ||
【主权项】：
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