[发明专利]一种沟槽MOSFET的制造方法有效
| 申请号： | 202010947607.6 | 申请日： | 2020-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN112038237B | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 潘光燃;胡瞳腾 | 申请（专利权）人： | 深圳市芯电元科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京惠科金知识产权代理有限公司 11981 | 代理人： | 任立晨 |
| 地址： | 518049 广东省深圳市福田区梅林*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽MOSFET的制造方法，包括以下步骤：步骤S1：在N型衬底的表面形成N型外延层；步骤S2：在N型外延层的表面注入硼原子，并在N型外延层上形成沟槽；步骤S3：对沟槽采用高温氧化工艺，硼原子在高温氧化工艺中发生热扩散形成P型扩散区；步骤S4：淀积多晶硅，去除沟槽之外的多晶硅；步骤S5：在P型扩散区的表层之中形成N型扩散区。本发明提供的沟槽MOSFET的制造方法具有更小的单位面积导通电阻、成本更低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 mosfet 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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