[发明专利]一种低成本低钴单晶三元正极材料及其制备方法在审
申请号: | 202010947810.3 | 申请日: | 2020-09-10 |
公开(公告)号: | CN112342605A | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
发明(设计)人: | 王慧萍;吕明;张帅琦;李崇;乔水伶;方向乾;曹壮 | 申请(专利权)人: | 陕西彩虹新材料有限公司 |
主分类号: | C30B1/10 | 分类号: | C30B1/10;C30B29/22;H01M4/505;H01M4/525;H01M10/0525 |
代理公司: | 北京卓特专利代理事务所(普通合伙) 11572 | 代理人: | 段宇 |
地址: | 712021 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种低成本低钴单晶镍钴锰三元正极材料及其制备方法,将一定化学计量比的镍源、氧化钴、氧化锰、锂源及M掺杂剂加入研磨机内湿法研磨,研磨至不溶物粒度≤0.5μm的浆液,进行喷雾干燥,得到一种节能低成本低钴含锂三元前驱体A。将A高温富氧烧结,粉碎处理后得高分散单晶三元材料基体B;将B干法包覆X,低温空气气氛固相烧结、粉碎处理,即得一种低成本低钴单晶正极材料;本发明制造过程绿色环保、避免了前驱体制备及产品烧结过程污染物排放,操作工艺简单可控,成本低。且同时实现双掺杂与表面包覆,既稳定材料的结构,又有利于提高产品表面锂离子的迁移速度,降低产品表面残碱。该材料容量高,循环和高温性安全性良好。 | ||
搜索关键词: | 一种 低成本 低钴单晶 三元 正极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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