[发明专利]一种组合式套刻标记、使用套刻标记测量套刻误差的方法在审

专利信息
申请号: 202010948697.0 申请日: 2020-09-10
公开(公告)号: CN114167694A 公开(公告)日: 2022-03-11
发明(设计)人: 梁时元;丁明正;贺晓彬;刘金彪;刘强 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
主分类号: G03F9/00 分类号: G03F9/00;G03F7/20
代理公司: 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 代理人: 刘广达
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本公开提供了一种组合式套刻标记、使用套刻标记测量套刻误差的方法,该套刻标记包括当层比较标记和前层基准标记。当层比较标记包括第一比较标记和形成于第一比较标记周围的第二比较标记,前层基准标记包括第一基准标记和形成于第一基准标记周围的第二基准标记。第一比较标记与第一基准标记可上下对应地设置,第二比较标记与第二基准标记上下对应地设置。该测量方法包括:利用第一比较标记和第一基准标记测量出第一套刻误差,利用第二比较标记和第二基准标记测量出第二套刻误差,根据第一套刻误差和/或第二套刻误差确定误差测量结果。本公开通过组合式两种套刻标记提高套刻误差测量可靠性,保证测量精度的前提下有效提高套刻误差的测量精度。
搜索关键词: 一种 组合式 标记 使用 测量 误差 方法
【主权项】:
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