[发明专利]晶体生产工艺在审
| 申请号： | 202010949734.X | 申请日： | 2020-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN112342611A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 刘奇;黄末;陈翼;高海棠;刘林艳 | 申请（专利权）人： | 徐州鑫晶半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B15/22;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 肖阳 |
| 地址： | 221004 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体生产工艺，包括以下步骤：S10：化料：对坩埚组件进行加热以使初始原料熔化，并在设定时间后，坩埚组件以设定转速段内的转速转动；S11、引晶：将籽晶的一部分浸入坩埚组件内熔体的液面下方，并开启磁场装置；S12、缩颈；S13、放转肩；S14、等径加料：在晶体生长区进行晶棒的等径生长，原料下料管将再加入原料加至坩埚组件的原料下料区，且控制下料组件的加料量与晶体的成晶量相等。其中，坩埚组件包括第一坩埚、第二坩埚和第三坩埚，第一腔室适于构造成原料下料区，第三腔室适于构造成晶体生长区，磁场的中心面位于坩埚组件内熔体的固液界面的上方。根据本发明的晶体生产工艺，可以控制晶体的氧含量，提升晶体品质。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 生产工艺 | ||
【主权项】：
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