[发明专利]晶体生长炉和晶体生产工艺在审
| 申请号： | 202010949739.2 | 申请日： | 2020-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN112144108A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 刘奇;黄末;陈翼;高海棠;刘林艳 | 申请（专利权）人： | 徐州鑫晶半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/30 | 分类号： | C30B15/30;C30B15/14;C30B15/20 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 肖阳 |
| 地址： | 221004 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体生长炉和晶体生产工艺，晶体生长炉包括炉体、坩埚组件、加热组件和隔热组件，坩埚组件包括第一坩埚、第二坩埚、第三坩埚和第四坩埚，第一腔室适于构造成原料下料区，第二腔室适于构造成掺杂剂下料区，第四腔室适于构造成晶体生长区，加热组件包括第一加热器和第二加热器，隔热组件包括第一隔热件、第二隔热件和第三隔热件，第一隔热件围绕第一加热器设置，第二隔热件设在第一隔热件的上端且位于坩埚组件的上方，第二隔热件向内延伸至不超过第二坩埚，第三隔热件设在第二隔热件的上端，第三隔热件向内至少延伸至第三坩埚。根据本发明的晶体生长炉，提升了固液界面处的温度梯度，便于生产较大尺寸重掺晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体生长 晶体 生产工艺 | ||
【主权项】：
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