[发明专利]研磨用组合物、研磨方法及半导体基板的制造方法有效
| 申请号： | 202010951611.X | 申请日： | 2020-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN112480824B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 前僚太;大西正悟 | 申请（专利权）人： | 福吉米株式会社 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及研磨用组合物、研磨方法及半导体基板的制造方法。本发明所述的研磨用组合物包含磨粒、碱性无机化合物、阴离子性水溶性高分子和分散介质；前述磨粒的zeta电位为负，前述磨粒的长径比超过1.1，在利用激光衍射散射法求出的前述磨粒的粒径分布中，从微粒侧起的累积颗粒质量达到总颗粒质量的90％时的颗粒的直径D90与从微粒侧起的累积颗粒质量达到总颗粒质量的50％时的颗粒的直径D50的比D90/D50超过1.3。 | ||
| 搜索关键词： | 研磨 组合 方法 半导体 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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