[发明专利]一种改善超导钛-铌薄膜接触电极的制备方法有效
| 申请号： | 202010952813.6 | 申请日： | 2020-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN111969102B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 王争;张文;钟家强;史生才 | 申请（专利权）人： | 中国科学院紫金山天文台 |
| 主分类号： | H10N60/01 | 分类号： | H10N60/01 |
| 代理公司： | 南京钟山专利代理有限公司 32252 | 代理人： | 刘佳慧 |
| 地址： | 210008 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善超导钛‑铌薄膜接触电极的制备方法，具有这样的特征：包括步骤如下：步骤S1、在做好超导钛薄膜图形的衬底上用光刻技术形成所需超导铌薄膜电路的光刻胶反转图形。步骤S2、沉积缓冲层钛薄膜，原位再沉积超导铌薄膜，形成钛铌双层膜。步骤S3、利用剥离工艺去除光刻胶及其上面的钛铌双层膜，形成钛铌双层膜的图形。本发明在超导钛‑铌薄膜之间沉积一层缓冲层钛薄膜，可有效阻隔铌薄膜内的杂质分子向超导钛薄膜扩散，进而保持超导钛薄膜的超导特性稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 超导 薄膜 接触 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
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