[发明专利]一种高耐电场强度碳化硅基复相陶瓷材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202010953557.2 | 申请日： | 2020-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN112159233B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 陈健;陈文辉;黄政仁;祝明;郑嘉棋;马宁宁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/577 | 分类号： | C04B35/577;C04B35/575;C04B35/576;C04B35/622;C04B35/634;C04B35/638;C04B35/64;H01C7/118;H01C17/30 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高耐电场强度碳化硅基复相陶瓷材料及其制备方法，所述制备方法包括：称取SiC、AlN、烧结助剂、粘结剂并球磨混合，成型、脱粘制得碳化硅陶瓷坯体；以及将所得碳化硅陶瓷坯体在氮气气氛中于1900~2200℃烧结制得高耐电场强度碳化硅基复相陶瓷材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电场 强度 碳化硅 基复相 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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