[发明专利]生长碲化汞晶体的真空高压单晶炉系统及其控制方法有效
| 申请号： | 202010953790.0 | 申请日： | 2020-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN112064108B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 解永强;张红梅;柳森娟;徐海涛;王宏杰;杨晓东 | 申请（专利权）人： | 西北电子装备技术研究所（中国电子科技集团公司第二研究所） |
| 主分类号： | C30B13/00 | 分类号： | C30B13/00;C30B13/28;C30B29/48 |
| 代理公司： | 山西华炬律师事务所 14106 | 代理人： | 陈奇 |
| 地址： | 030024 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种生长碲化汞晶体的真空高压单晶炉系统及其控制方法，解决了如何完成碲化汞晶体生长的问题。包括单晶炉支架（33）、真空泵（36）、充氩气装置、循环水冷装置（37）、电控柜（34）和驱动轴升降驱动装置（38），在单晶炉支架（33）上，分别设置有下炉体（1）和上炉体（3），在下炉体（1）的炉底板中央处，设置有驱动轴伸出孔（24），在驱动轴伸出孔中设置有驱动轴（23），在伸入到炉体内腔中的驱动轴（23）的顶端设置有石英坩埚（16），在石英坩埚中放置有装有碲化汞粉末状材料的密闭石英管（17），设置在炉体外的驱动轴的下端与驱动轴升降驱动装置（38）机械连接；实现了大直径碲化汞晶体的生长。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 碲化汞 晶体 真空 高压 单晶炉 系统 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
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