[发明专利]LED外延结构、LED芯片及LED外延结构制造方法在审
| 申请号： | 202010953817.6 | 申请日： | 2020-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN111933767A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技（宿迁）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 沈晓敏 |
| 地址： | 223800 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LED外延结构、LED芯片及LED外延结构制造方法，LED外延结构包括衬底和设于其上的缓冲层和半导体层，衬底表面设有多个凸起的微结构；缓冲层包括覆于微结构之上的第一缓冲层，第一缓冲层于微结构的顶端形成第一通孔，并且于微结构的侧壁形成第二通孔；半导体层内形成有沿第一通孔向上延伸的镂空结构，所述镂空结构内介质为空气。通过基于通孔结构形成的位于微结构顶端的空气柱型镂空结构，增加了界面处的折射率差值，有效增强了光线在界面处的反射作用，提高了LED器件的光提取效率；并且，由于镂空结构为细长且向上延伸的圆柱结构，其对所述半导体层内的结构影响较小。 | ||
| 搜索关键词： | led 外延 结构 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
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