[发明专利]镓面III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其栅极保护元件在审
| 申请号： | 202010953995.9 | 申请日： | 2020-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN112490280A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 黄知澍 | 申请（专利权）人： | 黄知澍 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/04;H01L29/778;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾台北*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种镓面III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其栅极保护元件。在此镓面的氮化铝镓/氮化镓磊晶结构包含有一硅基底；一位于硅基底上的具碳掺杂的缓冲层；一位于缓冲层上的具碳掺杂的本质氮化镓层；一位于具碳掺杂的本质氮化镓层上的本质氮化铝镓缓冲层；一位于本质氮化铝镓缓冲层上的本质氮化镓通道层；以及一位于本质氮化镓通道层上的本质氮化铝镓层。在元件设计上，藉由将空乏型氮化铝镓/氮化镓高速电子迁移率晶体管连接至P型氮化镓栅极加强型氮化铝镓/氮化镓高速电子迁移率晶体管的栅极，藉此可以保护P型氮化镓栅极加强型氮化铝镓/氮化镓高速电子迁移率晶体管的栅极在任何栅极电压下操作都能够受到保护。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 结构 及其 主动 元件 与其 栅极 保护 | ||
【主权项】：
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