[发明专利]一种高密度光刻图案处理方法在审
| 申请号： | 202010955012.5 | 申请日： | 2020-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN111880383A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 甘棕松 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/004 |
| 代理公司： | 武汉华之喻知识产权代理有限公司 42267 | 代理人： | 王世芳;曹葆青 |
| 地址： | 430074 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高密度光刻图案处理方法，属于光刻技术领域，包括如下步骤：S1将目标高密度光刻图案分解为多个低密度光刻图案，分解后的多个低密度光刻图案形状相同或者不同，并且分解后的多个低密度光刻图案能相互拼接而还原成目标高密度光刻图案，S2采用投影式光刻方式在介质上获得多个低密度光刻图案，每一个低密度光刻图案需要一次单独曝光，S3移动多个低密度曝光图案与光刻胶材料的相对位置以最终改变多个低密度曝光图案之间的相对位置，从而由多个低密度曝光图案拼接得到目标高密度曝光图案。本发明方法可解决现有光刻技术中，采用缩短光波长的方法提高光刻分辨率所带来的一系列难题，能大幅度降低芯片制造难度和制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高密度 光刻 图案 处理 方法 | ||
【主权项】：
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