[发明专利]一种波导耦合的硅基光电探测器及其制备方法

摘要

本发明提供一种波导耦合的硅基光电探测器，包括：SOI衬底(100)，包括至下而上的底部硅材料层(130)、二氧化硅填埋层(120)和顶层硅(110)，其中，顶层硅(110)上形成有波导层(111)，波导层(111)上形成有掺杂区；二氧化硅窗口层(300)，覆盖于波导层(111)、二氧化硅填埋层(120)和掺杂区的部分表面，其中，二氧化硅窗口层上开有外延窗口；光吸收层(200)，布置在外延窗口中；绝缘介质层(400)，覆盖于二氧化硅窗口层(300)和光吸收层(200)之上；电极，设于二氧化硅窗口层(300)和绝缘介质层(400)的电极窗口中。本发明的光电探测器整体工艺步骤少，制作难度低，有利于降低成本及和其他硅器件的片上集成。