[发明专利]选择性化学机械抛光钴、氧化锆、多晶硅和二氧化硅膜的方法在审
| 申请号： | 202010958435.2 | 申请日： | 2020-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN112490120A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | M·G·伊瓦纳加姆;M·R·范汉尼赫姆;Y·郭 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;C09G1/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 乐洪咏;陈哲锋 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于化学机械抛光衬底的方法，所述衬底含有钴、氧化锆、多晶硅和二氧化硅，其中所述钴、锆、和多晶硅去除速率选择性地优先于二氧化硅。所述化学机械抛光组合物包含水，苄基三烷基季铵化合物，钴螯合剂，腐蚀抑制剂，胶体二氧化硅磨料，任选地杀生物剂和任选地pH调节剂，并且pH大于7，并且所述化学机械抛光组合物不含氧化剂。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 化学 机械抛光 氧化锆 多晶 二氧化硅 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
