[发明专利]一种具有高可靠性的氮化物器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010958493.5 | 申请日： | 2020-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN111933709A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 刘扬;何亮 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 王晓玲 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有高可靠性的氮化物器件及其制备方法。包括衬底、生长在衬底上的半导体外延层、栅极、源极以及漏极；外延层自下至上依次包括氮化物成核层、氮化物应力缓冲层、氮化物沟道层、一次外延氮化物势垒层、p型氮化物层、二次外延氮化物势垒层和二次外延绝缘介质层；p型氮化物层仅保留在栅极区域一次外延氮化物势垒层之上；二次外延氮化物势垒层生长过程无掩膜；二次外延氮化物势垒层和二次外延绝缘介质层位于一次外延氮化物势垒层和栅极区域的p型氮化物层之上；栅极形成含二次外延绝缘介质层、二次外延氮化物势垒层、p型氮化物层和一次外延氮化物势垒层的堆叠结构。有效实现高阈值电压、高导通、高稳定性、低漏电的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 可靠性 氮化物 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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