[发明专利]MIM电容的形成方法和MIM电容有效
| 申请号： | 202010958494.X | 申请日： | 2020-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN112185888B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 马莉娜;姚道州;肖培 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522;H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 黎伟 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种MIM电容的形成方法和MIM电容，该方法包括：在第二电极层、电容介质层和第一电极层暴露的表面形成保护层，第二电极层形成于电容介质层上，电容介质层形成于第一电极层上，第一电极层、电容介质层和第二电极层构成第一台阶型结构；对保护层进行第一次刻蚀，对保护层进行减薄；对保护层进行第二次刻蚀，去除第二电极层上的保护层的同时对保护层进行减薄；对保护层进行第三次刻蚀，使保护层的截面的外边缘为弧形，剩余的保护层形成侧墙。本申请通过在MIM电容的上电极和电容介质层的周侧形成外表面为弧形的侧墙以保护电容介质层，降低了电容介质层在后续的刻蚀过程中被等离子体损伤的几率，提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | mim 电容 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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