[发明专利]光感测装置及制造光感测装置的方法在审
申请号: | 202010960176.7 | 申请日: | 2020-09-14 |
公开(公告)号: | CN112542523A | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 陈建宏 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/09;H01L31/18 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 李春秀 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明实施例涉及光感测装置及制造光感测装置的方法。本揭露提供一种光感测装置,所述光感测装置包含:衬底,其在前表面处包含硅层;光敏部件,其延伸到所述硅层中且至少部分由所述硅层包围;及复合层,其安置于所述光敏部件与所述硅层之间且包围所述光敏部件,其中所述复合层包含第一材料及不同于所述第一材料的第二材料。 | ||
搜索关键词: | 光感测 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的