[发明专利]阻变存储器、阻变存储器芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 202010960339.1 | 申请日： | 2020-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN112054121B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 高滨;孙雯;李辛毅;唐建石;吴华强;钱鹤 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H10N70/00 | 分类号： | H10N70/00;H10N79/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 刘晓冰 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 提供了一种阻变存储器、阻变存储器芯片及其制备方法。该阻变存储器包括至少一个阻变存储元件，该至少一个阻变存储元件中的每个包括在第一方向上依次叠层的第一电极、阻变层和第二电极，对于每个阻变存储元件，第一电极包括在第一方向上与第二电极交叠的第一部分和与第二电极不交叠的第二部分，第二电极包括在第一方向上与第一电极交叠的第三部分和与第一电极不交叠的第四部分，阻变层设置在第一电极的第一部分与第二电极的第三部分之间，并且第二部分、第一部分和第三部分、第四部分沿第二方向依次排布，第二方向与第一方向垂直。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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