[发明专利]一种用气体团簇离子束生长薄膜的方法在审
| 申请号： | 202010960551.8 | 申请日： | 2020-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN112176304A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 曹路;刘翊;张同庆 | 申请（专利权）人： | 江苏集创原子团簇科技研究院有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/46 | 分类号： | C23C14/46;C23C14/06;C23C14/54;C23C14/10;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用气体团簇离子束生长薄膜的方法，包括以下步骤：在减压环境中提供衬底；在减压环境中从加压气体混合物中产生气体团簇离子束(GCIB)；建立第一、第二数据集，基于第一和第二数据集选择用于生长过程的束加速电势和束剂量；根据选择的束加速电势来加速GCIB；基于第一和第二数据集调节生长过程中加速后GCIB的束能量分布；将加速后的GCIB照射到衬底的至少一部分上；通过生长工艺在衬底的至少一部分上生长含硅薄膜，以实现具有目标厚度和目标表面粗糙度的含硅薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 气体 离子束 生长 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
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