[发明专利]一种改善超导量子器件EMC性能的器件结构与制备方法有效
| 申请号： | 202010962027.4 | 申请日： | 2020-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN112068047B | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 伍文涛;林志荣;倪志;梁恬恬;王永良;张国峰;王镇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L39/12 | 分类号： | H01L39/12 |
| 代理公司： | 上海泰博知识产权代理有限公司 31451 | 代理人： | 钱文斌 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种改善超导量子器件EMC性能的器件结构与制备方法，器件结构包括衬底、第一金属层，绝缘结构层，第一金属层及金属屏蔽壳盖之间为超导量子干涉器件的结构区，该结构区其主要包括约瑟夫森结区、势垒层、自感环路和引线结构、配线层、输入线圈、反馈线圈和引线电极等。本发明可以提高超导量子干涉器件抗干扰能力，减小超导量子干涉器件的封装体积，提高使用系统集成度。本发明的屏蔽壳仅百微米量级，其本征谐振频率和低频截止频率远高于超导量子干涉器件工作点，避免对器件的影响。此外，集成屏蔽壳采用金属层，可以损耗约瑟夫森结高频辐射，在器件阵列中增加了相邻器件之间的隔离，避免相互串扰。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 超导 量子 器件 emc 性能 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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