[发明专利]氟化物晶体内部缺陷和残余应力的检测装置及其检测方法在审
| 申请号： | 202010962109.9 | 申请日： | 2020-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN112179917A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 王静雅;张博;刘荣荣;苏良碧 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | G01N21/95 | 分类号： | G01N21/95;G01L5/00 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 郑优丽;牛彦存 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种氟化物晶体内部缺陷和残余应力的检测装置及其检测方法。所述检测装置包括：在轴向光轴上依序设置的偏振光源、光阑、样品架、检偏器和图像采集设备；所述样品架用于载置待检测的氟化物晶体；所述偏振光源由白光光源和起偏器组装而成，其中白光光源产生通过起偏器和检偏器的轴向光路；所述图像采集设备设置于待检测的氟化物晶体的出光面外侧；所述检测装置还包括与图像采集设备连接的计算机控制系统，以对图像采集设备采集的图像进行记录和处理，来显示待检测的氟化物晶体的内部缺陷和残余应力情况。该检测装置可以在一套设备上实现对氟化物晶体内部多种缺陷（包括散射、光路、开裂、多晶、条纹）和残余应力的检测。 | ||
| 搜索关键词： | 氟化物 晶体 内部 缺陷 残余 应力 检测 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
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