[发明专利]具有带有用于高动态范围的子曝光的单光子雪崩二极管的成像设备在审
申请号: | 202010963928.5 | 申请日: | 2020-09-15 |
公开(公告)号: | CN112653854A | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
发明(设计)人: | S·涅基 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H04N5/369 | 分类号: | H04N5/369;H04N5/355;G01J11/00;G01S17/10;G01S17/894 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 周阳君 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明题为“具有带有用于高动态范围的子曝光的单光子雪崩二极管的成像设备”。本发明公开了一种成像设备,该成像设备可包括单光子雪崩二极管(SPAD)。为了改善该SPAD的灵敏度和信噪比,可增加光子检测效率(PDE)。然而,增加的光子检测效率可导致降低的饱和速率并且低于期望的动态范围。为了增大该动态范围,基于SPAD的半导体器件可用多个子曝光操作。在第一子曝光期间,可将过偏置电压设置为第一电压电平,使得该SPAD具有第一光子检测效率。在第二子曝光期间,可将过偏置电压设置为第二电压电平,使得该SPAD具有不同于该第一光子检测效率的第二光子检测效率。然后可将来自该第一子曝光和该第二子曝光的图像数据组合成单个高动态范围深度图。 | ||
搜索关键词: | 具有 带有 用于 动态 范围 曝光 光子 雪崩 二极管 成像 设备 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于半导体元件工业有限责任公司,未经半导体元件工业有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010963928.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。