[发明专利]屏蔽栅场效应晶体管及其形成方法、半导体器件有效
| 申请号： | 202010964286.0 | 申请日： | 2020-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN111834464B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 李艳旭;宋金星 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路制造（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种屏蔽栅场效应晶体管及其形成方法、半导体器件。利用牺牲层在沟槽的下沟槽中形成第一介质层，以构成上宽下窄的沟槽，从而在填充电极材料层时可以控制所产生空隙会位于下沟槽部中，避免了空隙的存在而对电极材料层的刻蚀过程造成影响，保障所形成的晶体管器件的性能。此外，本发明提供的形成方法，由于可容许电极材料层中产生有空隙，进而使得沟槽的侧壁可以为垂直或接近垂直的侧壁，有利于实现晶体管器件的尺寸缩减。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽 场效应 晶体管 及其 形成 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
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