[发明专利]基于溶液射流辅助激光图形化碳化硅籽晶的方法有效
| 申请号： | 202010964479.6 | 申请日： | 2020-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN111822876B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 薛卫明;马远;潘尧波 | 申请（专利权）人： | 中电化合物半导体有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/364 | 分类号： | B23K26/364;B23K26/60;H01L21/268 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于溶液射流辅助激光图形化碳化硅籽晶的方法，通过喷嘴向碳化硅籽晶喷涂包含抗氧化剂以及金属离子添加剂的辅助液，以在碳化硅籽晶表面形成持续流动的液膜层；在刻蚀过程中，通过液膜层能有效降低非激光聚焦处的温度，防止碳化硅的升华，减小重熔区；通过流动的辅助液，可对加工残渣和毛刺进行冲击，以提高加工精度；通过抗氧化剂可降低氧化硅的形成概率；通过金属离子添加剂配合空泡，可提高碳化硅籽晶的去除速率；在激光加工后，还可通过进一步的刻蚀步骤，以去除微量的热损伤层，从而进一步的提高碳化硅籽晶表面的质量，以提高后续制备的碳化硅晶体的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 溶液 射流 辅助 激光 图形 碳化硅 籽晶 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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