[发明专利]一种TSV耦合和RDL互连的片上无源巴伦及制作工艺有效
申请号: | 202010964493.6 | 申请日: | 2020-09-15 |
公开(公告)号: | CN112087214B | 公开(公告)日: | 2023-03-14 |
发明(设计)人: | 董刚;熊伟;朱樟明;杨银堂 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H03H7/42 | 分类号: | H03H7/42;H03H3/007 |
代理公司: | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人: | 田文英;王品华 |
地址: | 710071*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种TSV耦合和RDL互连的片上无源巴伦及制作工艺,巴伦结构包括硅基片以及依次设置在其上的TSV耦合单元、底部RDL互连线、顶部互连线和接地通孔。TSV耦合单元由TSV两两电容性耦合形成。顶部互连线设置在硅基片的顶部,RDL互连线则设置在硅基片的底部,每段均由两条平行的矩形导体组成。多组顶部互连线、耦合单元与RDL互连线连接形成曲折线形的巴伦总耦合路径。本发明可用于实现将单端非平衡信号转换为双端平衡输出信号的巴伦电路功能,与现有技术相比具有集成密度更高、垂直互连串扰与噪声更小、可选频率范围广的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 tsv 耦合 rdl 互连 无源 制作 工艺 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学,未经西安电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010964493.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。