[发明专利]一种P型帽层增强型HEMT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010964501.7 | 申请日： | 2020-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN112133749A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 吴勇;葛林男;汪琼;王东;陈兴;严伟伟;陆俊;何滇;曾文秀;王俊杰;穆潘潘;操焰;崔傲;袁珂;陈军飞;张进成 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学芜湖研究院 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 芜湖思诚知识产权代理有限公司 34138 | 代理人： | 房文亮 |
| 地址： | 241000 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种P型帽层增强型HEMT器件及其制备方法，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、低温成核层、缓冲层、高阻层、沟道层、势垒层、插入层、P‑GaN帽层，本发明提供了一种新的结构及长法，实现增强型HEMT器件的外延制备同时保证其性能的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 型帽层 增强 hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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